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采用激光分子束外延法（LMBE）在P型Si（100）衬底上沉积了（HfO2）；（Al2O3）Y（NiO）1-x-y栅介质薄膜，研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力。X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度。原子力显微镜测试显示：在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的，没有发现针孔。900℃N2中退火后的薄膜在高分辨透射电镜下没有发现硅酸盐界面层。实验结果表明在氧化物薄膜与硅衬底之间引入Ni—Al—O置入层能够防止硅酸盐低介电界面层的生成，这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小。