控制工艺诱导电荷提高生产力

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工艺诱导电荷所产生的缺陷正在成为造成下一代器件良率损失的问题,促使晶圆加工过程中需要更加严格的工艺控制。45nm器件生产过程中用到了新型的材料和加工工艺,工艺诱导电荷效应变得更加严重,逐渐成为造成良率损失的关键因素。因此,我们需要重新审视这种效应,通过对加工工艺的控制使其影响最小化。由于材料稳定性不同于过去的技术节点,低k值绝缘材料、高k栅绝缘材料/金属栅材料、先进的铜 Process induced charges are causing defects that are causing the problem of yield loss for the next generation of devices, necessitating more stringent process control during wafer processing. 45nm device used in the production of new materials and processing technology, process-induced charge effect has become more serious, and gradually become the key factor in yield loss. Therefore, we need to revisit this effect and minimize its impact by controlling the process. Due to material stability different from past technology nodes, low-k insulating materials, high-k gate insulating material / metal gate material, advanced copper
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