【摘 要】
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基于普通带隙基准原理,设计了一种简单的3阶补偿带隙基准电路。这种补偿方式无需改变普通带隙基准的结构,仅增加很少的器件就能实现3阶补偿,具有电路实现简单、功耗低、容易
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
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基于普通带隙基准原理,设计了一种简单的3阶补偿带隙基准电路。这种补偿方式无需改变普通带隙基准的结构,仅增加很少的器件就能实现3阶补偿,具有电路实现简单、功耗低、容易嵌入传统带隙基准等优点。设计采用0.5μm BiCMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～120℃温度范围内,5V工作电压下,该带隙基准源的输出电压为1.204V,温度系数为1.9×10-6 V/℃,在1kHz时,电源抑制比为58dB。
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