【摘 要】
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据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本NTT光电研究所为了开发双脉冲调制技术的D/A转换器而制作了InP HBT器件,该器件的特征频率为175 GHz,最大振荡频率为260 GHz。双
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据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本NTT光电研究所为了开发双脉冲调制技术的D/A转换器而制作了InP HBT器件,该器件的特征频率为175 GHz,最大振荡频率为260 GHz。双脉冲调制型D/A转换器的芯片尺寸为3mm×3 mm,包含了大约2000个器件。该D/A转换器成功实现了32 GS/s的世界最高速性能,将应用于未来相干光通信系统。
According to “Letters Science and Technology” (201010 109-361) reported that Japan’s NTT Institute of optoelectronics for the development of dual-pulse modulation technology D / A converter made of InP HBT devices, the device features a frequency of 175 GHz , The maximum oscillation frequency is 260 GHz. The dual-pulse modulated D / A converter has a chip size of 3 mm × 3 mm and contains approximately 2,000 devices. The D / A converter successfully achieved the world’s highest speed performance of 32 GS / s and will be used in future coherent optical communications systems.
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