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采用点缺陷线性分布模型，利用能量弛豫方法得到了基于van der Pauw变温霍尔效应测量来确定纤锌矿n-GaN位错密度的新方法。用高分辨率X射线衍射仪测试了两个分别用MOCVD方法和用HVPE方法生长的n-GaN样品，用Srikant方法拟合得到了位错密度。结果表明两种方法高度一致。进一步的研究表明，新方法和化学腐蚀方法的测试结果基本一致，相关拟合参数与采用Rode迭代法精确求解Boltzmann输运方程的理论结果也基本一致。研究还表明，新方法能有效消除施主杂质带和界面简并层对测试结果的影响，测试剔除界