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提出了一种应用Ｍｉｅ氏散射理论，根据硅基半导体材料的红外透射特性，使用红外激光和红外ＣＣＤ摄像机来测试其体缺陷的方法，并给出了实验装置示意图。
红外技术在硅基半导体材料微体缺陷测试中的应用
【摘 要】
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提出了一种应用Ｍｉｅ氏散射理论，根据硅基半导体材料的红外透射特性，使用红外激光和红外ＣＣＤ摄像机来测试其体缺陷的方法，并给出了实验装置示意图。
【机 构】
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清华大学精密仪器系
【出 处】
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红外技术
【发表日期】
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1996年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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