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通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜,利用X射线衍射（XRD）、能量分散X射线谱（EDX）和原子力显微镜（AFM）研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌。结果表明,Cu膜在200℃退火30分钟可以得到具有单一成份的Cu2O薄膜。四探针测量得到所制备的Cu2O薄膜电阻率为0.22Ωcm。用紫外可见光分光光度计（UV-vis）研究了Cu2O薄膜的光学特性,得出其光学带隙为2.4eV。