【摘 要】
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制作了基区Ge组分分别为0．20和0．23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管（HBT）。实验结果表明，基区Ge组分的微小增加，引起了较大的基极复合电流，但减小了总的基极电流，提
【机 构】
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厦门大学物理系,中国科学院半导体研究所
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制作了基区Ge组分分别为0．20和0．23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管（HBT）。实验结果表明，基区Ge组分的微小增加，引起了较大的基极复合电流，但减小了总的基极电流，提高了发射结的注入效率，电流增益成倍地提高。Ge组分从0．20增加到0．23，HBT的最大直流电流增益从60增加到158，提高了约2．6倍。
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