【摘 要】
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衬底温度在反应溅射制备ZnO：Al薄膜过程中是一个重要的工艺参数,直接决定这薄膜的性能。本文用中频脉冲磁控溅射方法,采用锌铝合金（Al的含量为2%）靶,在衬底温度170℃,工作压力2.
【机 构】
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中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,浙江嘉康电子股份有限公司
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衬底温度在反应溅射制备ZnO：Al薄膜过程中是一个重要的工艺参数,直接决定这薄膜的性能。本文用中频脉冲磁控溅射方法,采用锌铝合金（Al的含量为2%）靶,在衬底温度170℃,工作压力2.5mTorr,氧氩比3/18的条件下,制备了ZnO：Al薄膜,利用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析,利用分光光度计和四探针法测量了薄膜的光学和电学性能,研究了制备薄膜时不同的衬底温度对薄膜的结构、电学、光学性能的影响,结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率先下降后上升,而可见光范围平均透过率在85%以上,当衬底温度为1
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