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本文介绍了与HgCdTe红外探测器阻抗相匹配的DFZ481型红外前置放大电路组件。组件单元电路具有高增益(≥50dB)、宽带、低源阻、低噪声等特性。组件采用双列直插式陶瓷管壳封装,很容易制成16、32……160元组件。
DFZ481型八无红外前置放大电路组件
【摘 要】
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本文介绍了与HgCdTe红外探测器阻抗相匹配的DFZ481型红外前置放大电路组件。组件单元电路具有高增益(≥50dB)、宽带、低源阻、低噪声等特性。组件采用双列直插式陶瓷管壳封装
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1990年2期
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