【摘 要】
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在Slonczewsik自由电子理论模型下，研究了-由铁磁／铁磁绝缘体／铁磁构成的隧道结在零偏压下的隧穿电导、自旋极化率和隧穿磁阻比率。结果表明，隧道结的磁结构对TC（隧穿电导）和TMR（隧
【机 构】
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贵州大学光电子技术及应用重点实验室
【基金项目】
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贵州省科学技术基金项目(黔科合J字[2010]2103号)
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在Slonczewsik自由电子理论模型下，研究了-由铁磁／铁磁绝缘体／铁磁构成的隧道结在零偏压下的隧穿电导、自旋极化率和隧穿磁阻比率。结果表明，隧道结的磁结构对TC（隧穿电导）和TMR（隧穿磁阻）的值有很大的影响，在两磁极磁化方向相同且与势垒分子场同向时，TC取到最小值，而方向为反平行时，TC数值为最大，同时还对分子场取向对自旋电子输运性质的影响进行了分析，所得结果对自旋器件的设计有一定意义。
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