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利用溶胶-凝胶技术制备了介孔氧化硅薄膜。采用MIM结构，通过平行板电容器法测量了介孔氧化硅薄膜的介电常数，结果表明采用表面修饰的方法可以在保持较低介电常数（k=2．25）的前提下极大地降低薄膜的漏电流，提高薄膜的环境稳定性能。通过对富氏红外光谱的分析，讨论了薄膜的键结构与介电性能之间的关系，结果表明去除介孔氧化硅薄膜中的OH基团是提高薄膜介电性能的关键。