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在使用综合参数测试仪测试808nm发射的半导体量子阱激光器的过程中，出现了一种由电浪涌所导致的灾变性损伤。通过测试的功率曲线和伏安特性曲线，断定激光器出现了突变性的损伤，同时测试的发射光谱不再是激射光谱，而是由自发辐射所产生的荧光光谱。由扫描电镜（SEM）观察到了激光器的腔面膜出现了熔化，证实激光器的确发生了灾变性损伤。作为对比，我们引用了另一种在测试中发现的快速退化现象，对两种退化出现的原因进行了理论上的分析，了解到激光器的退化主要还是由器件本身的材料、结构以及后期的工艺过程所决定的，在测试器件过程中电