【摘 要】
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理论分析了全内反射型半导体光波导开关内的位相关系.数值计算了1.3μm InGaAsP/InP全内反射型光波导开关内的反射TE模和TM模的位相变化δ_s、δ_p和它们间相对位相差△δ.结
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理论分析了全内反射型半导体光波导开关内的位相关系.数值计算了1.3μm InGaAsP/InP全内反射型光波导开关内的反射TE模和TM模的位相变化δ_s、δ_p和它们间相对位相差△δ.结果表明,光波导开关内开关区介质折射率变化量△n、吸收系数α和传输角θ_p对δ_s、δ_p和△δ值均有很大影响,它们间都有一种非线性变化关系.结果还表明,由于反射TE模和反射TM模间存在有相对位相差,全内反射型光波导开关将是一种有偏振特征的元器件.
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