亚100纳米级标准单元的可制造性设计

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【摘要】

：

本文介绍了亚100纳米工艺可制造性验证的一组工艺仿真和错误定位技术,制定了标准单元可制造性设计(DFM,Design For Manufacturability)的流程,重点讨论了在亚100纳米工艺条件

【作者】

：

张培勇严晓浪史峥高根生马玥陈晔

【机构】

：

浙江大学超大规模集成电路设计研究所

【出处】

：

电子学报

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

标准单元可制造性设计分辨率增强技术 Integrated circuit layout MOS devices Photolithography Print

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本文介绍了亚100纳米工艺可制造性验证的一组工艺仿真和错误定位技术,制定了标准单元可制造性设计(DFM,Design For Manufacturability)的流程,重点讨论了在亚100纳米工艺条件下标准单元设计中遇到的一些典型可制造性问题,提出了相应的新设计规则和解决方案.依靠以上DFM技术方法,完成了实际90nm工艺标准单元可制造性设计工作.

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