RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜的电学性质

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chenke

【摘要】

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本文对低温外延新技术——“快速辐射加热、超低压化学气相淀积”（RRH/VLP-CVD）生长的外延硅薄膜的电学性质进行了分析研究.扩展电阻分析显示了外延层杂质浓度分布均匀,与衬底

【作者】

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江若琏郑有炓马金中冯德伸江宁张荣胡立群李学宁

【机构】

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南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系南京210008,南京210008,南京210008,南京210008,

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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1991年08期

【关键词】

：

低温外延电学性质 RRH/VLP-CVD CVD 硅薄膜 VLP

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本文对低温外延新技术——“快速辐射加热、超低压化学气相淀积”（RRH/VLP-CVD）生长的外延硅薄膜的电学性质进行了分析研究.扩展电阻分析显示了外延层杂质浓度分布均匀,与衬底间的界面区杂质分布陡峭.在外延层上制备了霍耳样品、PN结二极管和Al-SiO₂-SiMOS结构,经测量分析所得各项重要数据与优质硅单晶所制的样品相一致.实验结果表明RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜具有良好的电学性质,已可用于器件的制备.

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