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本文主要研究高温SOI CMOS倒相器在(27～300℃)宽温区的瞬态特性.研究结果表明:当采用N+PN++和P+PP++结构薄膜SOI MOSFET组合,并且其结构参数满足高温应用的要求,则SOI CMOS倒相器实验样品在(27～300℃)具有良好的高温瞬态特性.
高温SOI CMOS倒相器瞬态特性的研究
【摘 要】
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本文主要研究高温SOI CMOS倒相器在(27～300℃)宽温区的瞬态特性.研究结果表明:当采用N+PN++和P+PP++结构薄膜SOI MOSFET组合,并且其结构参数满足高温应用的要求,则SOI CMOS倒
【机 构】
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东南大学微电子中心,信息产业部电子第24所
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2002年4期
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