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对在线工艺过程中实际使用的薄片ＧａＡｓ试样中Ｃ浓度和ＥＬ２浓度的测量方法进行了研究，解决了常规方法难以测量薄片ＧａＡｓ中杂质含量的问题。
薄片半绝缘GaAs测试方法的研究
【摘 要】
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对在线工艺过程中实际使用的薄片ＧａＡｓ试样中Ｃ浓度和ＥＬ２浓度的测量方法进行了研究，解决了常规方法难以测量薄片ＧａＡｓ中杂质含量的问题。
【机 构】
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天津电子部第４６研究所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1996年3期
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