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利用63Ni和3H源分别辐照两种可作为辐伏电池换能单元的GaN基PiN结型器件，其输出短路电流（Isc）和开路电压（Voe）分别为：对于63Ni源，Isc=5．4nA，Vse=771mV；对于3H源，Isc=10．8nA，Voe=839mv。其开路电压显著优于单晶硅基器件辐伏电池的输出结果，但与理论值有一定的差距。可能是GaN材料生长过程中产生的缺陷、电极欧姆接触不良以及器件结构等原因，导致短路电流和开路电压未能达到期望值。这些是提升GaN换能单元辐伏电池的电输出性能应解决的重要技术问题。