Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sd的作用的研究

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本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术,研究了在Si(001)衬底上,用晶化了的列定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时,引入表面活化剂Sd所产生的影响。研究表明,Sd的引入将全使Si(001)衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高,并在一定的生长条件下,破坏Ge外延层的结晶性。
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