【摘 要】
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET—Si8410DB,在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动器中节省空间,降低功耗,并延长电池使用
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET—Si8410DB,在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动器中节省空间,降低功耗,并延长电池使用时间。Vishay Siliconix Si8410DB采用芯片级MICRO FOOT封装,高度只有0.54mm,在小尺寸1mm2占位的20V器件中具
Vishay Intertechnology, Inc. today announced the release of the new TrenchFET 20V N-Channel MOSFET, Si8410DB, to save space, reduce power consumption and extend battery life in wearable devices, smartphones, tablets and solid-state drives. Vishay Siliconix Si8410DB chip-level MICRO FOOT package, the height of only 0.54mm, in a small size 1mm2 placeholder 20V devices
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