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MIS结构中快速热氮化的SiOxNy膜电荷特性

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ouerfadaide

【摘 要】

：

本文报导了采用光I—V法研究MIS结构中新型的快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性。给出这种介质膜和传统的SiO₂膜的体电荷面密度及其分布重心位

【作 者】

：

陈蒲生 杨劲 

【机 构】

：

华南理工大学应用物理系,机电部广州电器科学研究所

【出 处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1992年1期

【关键词】

：

MIS结构 电荷特性 雪崩 界面陷阱 MIS Structure  Charge Characteristics  Avalanche  Interface T 

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本文报导了采用光I—V法研究MIS结构中新型的快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性。给出这种介质膜和传统的SiO₂膜的体电荷面密度及其分布重心位置等实验结果。文中还用“改进”的雪崩热电子注入装置研究MIS结构中快速热氮化的SiO_xN_y膜的电荷特性。结果指出:快速热氮化后的再氧化工艺

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