【摘 要】
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本文研究了用不同的制备方法,以及制备不同厚度的Si_3N_4膜对集成晶体管电流增益的影响,取得了能明显地提高电流增益的最佳Si_3N_4膜厚及其制备的方法。通过对硅片平整度和少
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本文研究了用不同的制备方法,以及制备不同厚度的Si_3N_4膜对集成晶体管电流增益的影响,取得了能明显地提高电流增益的最佳Si_3N_4膜厚及其制备的方法。通过对硅片平整度和少子寿命的测试,估计了Si_3N_4膜对硅片因热氧化而引起的表面应力的补偿作用,发现电流增益提升效果最佳的Si_3N_4膜与最佳的表面应力补偿相对应,这时的硅片少子寿命最长。
In this paper, the effects of different preparation methods and the preparation of Si_3N_4 films with different thicknesses on the current gain of the integrated transistor are investigated. The optimum Si_3N_4 film thickness and the preparation method are obtained. By testing the flatness of silicon wafer and the life of minority carriers, the compensation of Si_3N_4 film on the surface stress caused by thermal oxidation was estimated. It is found that Si_3N_4 film with the best current gain enhancement has the best surface stress compensation , Then the longest life of silicon less children.
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