【摘 要】
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异质结的高低阻态可以分别代表逻辑"0"和"1",从而实现二进制数据存储.采用磁控溅射法制备Au/BaTiO3/SrRuO3异质结.研究结果表明在不同工艺条件下制备的BaTiO3薄膜均具有(002)择优取
【基金项目】
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国家自然科学基金(51372074), 湖北省自然科学基金(2013CFB006、2013CFB008), 湖北省教育厅青年项目(Q20131003)资助
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异质结的高低阻态可以分别代表逻辑"0"和"1",从而实现二进制数据存储.采用磁控溅射法制备Au/BaTiO3/SrRuO3异质结.研究结果表明在不同工艺条件下制备的BaTiO3薄膜均具有(002)择优取向.电学测试表明:在较低气压下制备的薄膜,异质结中可以实现可逆的单极性到双极性电阻转变;在较高气压下制备的薄膜,异质结中可以实现不可逆的非对称双极性电阻转变.这些实验结果可以用界面调制的随机断路器网络模型统一解释.
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