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本文报导了砷化镓材料制作的Ｚ元件，观察到Ｓ型负阻及相应的振荡波形，重点解决了Ｓ型负阻产生的原因及振荡机理，理论分析与实验相符。
新型砷化镓Z元件
【摘 要】
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本文报导了砷化镓材料制作的Ｚ元件，观察到Ｓ型负阻及相应的振荡波形，重点解决了Ｓ型负阻产生的原因及振荡机理，理论分析与实验相符。
【机 构】
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中科院半导体所
【出 处】
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电子产品世界
【发表日期】
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1999年9期
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