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采用瞬态电脉冲测试电路，对砷化镓（GaAs）光导开关线性与锁定（10ck—on）工作模式的临界状态进行了系统的实验测试，得到阈值条件附近波形变化情况及lock—on模式下电压转换效率显著提高现象。根据实验测试结果，提出了高倍增偶极畴模型，并结合载流子雪崩倍增理论，对实验观察到的若干临界实验现象进行了合理的解释。