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在异质结双极晶体管(HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻,以改善其热稳定性.通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻,而且在功率HBT器件中还能非常有效地降低发射极电流集边效应.
垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用
【摘 要】
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在异质结双极晶体管(HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻,以改善其热稳定性.通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻,而且在功率HBT器件
【机 构】
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吉林大学电子科学和工程学院,香港科技大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年期
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