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采用光致发光谱、光致发光激发谱以及拉曼光谱对GaN基量子阱材料进行了实验观察和分析.实验结果表明样品中量子点结构不均匀及InGaN层中In成分分布不均匀, 且其光致发光谱的波峰是由自由激子辐射复合发光引起的.同时由室温下InGaN/GaN量子阱的拉曼谱可得知InGaN/GaN多量子阱的结构特征.