【摘 要】
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本发明公开了一种碲镉汞材料在离子注入形成P—N结过程中对材料产生损伤的修复方法。该方法只需在常规的碲镉汞材料离子注入形成P—N结的工艺后再用较小剂量、较低束流密度的
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,上海尼赛拉电子元件有限公司
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本发明公开了一种碲镉汞材料在离子注入形成P—N结过程中对材料产生损伤的修复方法。该方法只需在常规的碲镉汞材料离子注入形成P—N结的工艺后再用较小剂量、较低束流密度的离子再次注入该区。再注入的离子可以起到非平衡动态后处理的作用,使注入离子形成的P-N结性能有较明显改善,从而提高了光伏型红外探测器的性能。
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