【摘 要】
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利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO2衬底上成功生长了非极性的a面(1120)ZnO薄膜,光致发光谱(PL)带边发射峰半峰宽仅为115meV.研究了非极性ZnO薄膜光谱特性的面内各向
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院上海光学精密机械研究
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利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO2衬底上成功生长了非极性的a面(1120)ZnO薄膜,光致发光谱(PL)带边发射峰半峰宽仅为115meV.研究了非极性ZnO薄膜光谱特性的面内各向异性,发现随着入射光偏振方向改变,在偏振透射光谱上,吸收边移动了20meV,这与A、B激子和C激子的能量差一致;而在拉曼光谱上,激发光偏振方向的改变导致E2模式的强度发生明显改变.
A nonpolar a-plane (1120) ZnO thin film was successfully grown on (302) γ-LiAlO2 substrate by laser pulse deposition (PLD) technique. The full width at half maximum (PLS) of the photoluminescence (PL) The in-plane anisotropy of the non-polar ZnO thin film was investigated, and it was found that the absorption edge shifts by 20 meV in the polarization transmission spectrum as the polarization direction of the incident light changes, which is in agreement with the A, B and C excitons In the Raman spectrum, the change of the polarization direction of the excitation light leads to a significant change in the intensity of the E2 mode.
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