【摘 要】
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对在氮化硼片源扩散下的硅表面结构和质量输运进行了观测。实验发现,预扩散后的硅表面由未反应的HBO_2淀积层——硼硅玻璃层——Si-B相层组成。这种表面系统,特别是Si-B相的
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对在氮化硼片源扩散下的硅表面结构和质量输运进行了观测。实验发现,预扩散后的硅表面由未反应的HBO_2淀积层——硼硅玻璃层——Si-B相层组成。这种表面系统,特别是Si-B相的结构和性质,随扩散条件而变化。文中从一般硼掺杂的原理出发,提出了一种对表面过程的机理的分析,认为不同表面系统的形成是扩散控制表面反应的结果,由此可解释观测到的各种实验现象。
The silicon surface structure and mass transport in the diffusion of boron nitride source were observed. It was found that the pre-diffused silicon surface consisted of a layer of unreacted HBO 2-borosilicate glass-Si-B phase. The structure and properties of this surface system, especially the Si-B phase, vary with diffusion conditions. Based on the principle of general boron doping, a mechanism analysis of surface processes is proposed. It is believed that the formation of different surface systems is the result of diffusion-controlled surface reactions, which can explain the observed phenomena.
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