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对SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET(FDBC NMOSFET)的器件结构及导电机理进行了深入研究,建立了明确的物理解析模型,推导出各种状态下器件工作电流的解析表达式。并将解析模型的计算结果与实验数据进行了比较和讨论。
关于SOI／SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET的新型解析模型
【摘 要】
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对SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET(FDBC NMOSFET)的器件结构及导电机理进行了深入研究,建立了明确的物理解析模型,推导出各种状态下器件工作电流的解析表达式。并将解析模型
【机 构】
：
东南大学微电子中心,东南大学微电子中心南京210018,南京210018,南京210018
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1993年2期
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