【摘 要】
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采用射频反应磁控溅射的方法，以ITO（铟锡氧化物）玻璃为衬底，在Al2O3／AN复合栅极绝缘层上沉积有源层ZnO薄膜，并以Al作为透明薄膜晶体管器件源极和漏极，通过XRD、透射光谱研究了透明薄
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采用射频反应磁控溅射的方法，以ITO（铟锡氧化物）玻璃为衬底，在Al2O3／AN复合栅极绝缘层上沉积有源层ZnO薄膜，并以Al作为透明薄膜晶体管器件源极和漏极，通过XRD、透射光谱研究了透明薄膜晶体管的有源层ZnO的结晶情况以及对器件在可见光范围内的透过特性的影响，得出以Al2O3／AlN为复合缓冲层薄膜晶体管，在400℃温度下退火处理后，ZnO有源层有较好的c-axis（002）择优取向，器件在可见光的范围内整体透过率在88%以上，从而实现了ZnO-TFT器件在可见光范围内的透明。
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