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采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备三重进口行星式MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的输运过程进行了二维数值模拟。从浓度场的角度分析反应器内衬底上方NH,和TMGa的浓度影响因素。根据对模拟结果的分析,发现较均匀的流场对应衬底上方的反应物浓度较高,降低反应器内压强,也可获得衬底上方较高的反应物浓度,由于MOCVD反应器内有较大的温差,因此热扩散效应不能忽视。