【摘 要】
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Cd_（1-x）Zn_xTe是直接带隙半导体材料,其禁带宽度随x值的变化在1.45eV～2.26eV间连续可调。将具有渐变带隙结构的材料作为太阳电池的光吸收层,可以在近背表面的薄层内产生一个准
【机 构】
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上海太阳能电池研究与发展中心,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金（10774154）, 中国科学院知识创新重要方向性项目, 上海市科委基础研究重点项目（08JC1420900）
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Cd_（1-x）Zn_xTe是直接带隙半导体材料,其禁带宽度随x值的变化在1.45eV～2.26eV间连续可调。将具有渐变带隙结构的材料作为太阳电池的光吸收层,可以在近背表面的薄层内产生一个准电场。该电场不仅能将俄歇复合发生的位置有效局域化,而且还可降低由表面复合引起的载流子损耗,增强光生载流子的收集效率,进而提高电池的光电转换效率。用渐变带隙Cd_（1-x）Zn_xTe多晶薄膜替代了传统CdTe薄膜太阳电池中的均匀相CdTe光吸收层,并用AMPS软件模拟分析了渐变带隙Cd_（1-x）Zn_xTe太阳电池
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