十二顶点邻位双取代碳硼烷衍生物二阶NLO性质的理论研究

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采用密度泛函理论(DFT)B3LYP/6-31G*方法,对系列十二顶点邻位双取代碳硼烷(C2B10H12)衍生物的几何构型进行优化.在所得优化结构的基础上,结合有限场方法(FF)和含时密度泛函理论(TD-DFT)对这些分子的二阶非线性光学(NLO)活性及电子吸收光谱进行了研究.结果表明,邻位双取代碳硼烷有较强的吸电子作用,与有机基团形成D-π-A结构时,可以起到很好的受体作用.当给体部分或桥的共轭性好,给体的给电子能力强时,邻位双取代碳硼烷的吸电子作用更明显,从而增强了分子的二阶NLO响应.
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