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单晶硅氧含量的高低，直接影响其OSF缺陷、单晶硅电池的衰减系数、效率。直拉单晶工艺使用的石英埚和硅熔液的反应，决定了直拉单晶硅棒氧含量处于较高的水平，尤其是单晶硅棒头部，影响了晶体质量。本文通过计算机模拟仿真，结合工艺试验，研究氩气流量、坩埚转速、坩埚位置对晶体氧含量的影响。
晶体氧含量与硅单品直拉工艺关系的研究
【摘 要】
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单晶硅氧含量的高低，直接影响其OSF缺陷、单晶硅电池的衰减系数、效率。直拉单晶工艺使用的石英埚和硅熔液的反应，决定了直拉单晶硅棒氧含量处于较高的水平，尤其是单晶硅棒头部，
【出 处】
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中国科技博览
【发表日期】
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2004年期
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