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为了在InP材料中获得精确的浅结扩散和低的接触电阻，同时防止InP表面层分解，提出了一种以Zn膜作扩散源、用快速热处理工艺进行Zn扩散的新方法。实验结果表明，该方法不仅可以获得约5×10^18cm^-3的空穴浓度，而且扩散界面平坦、无尖峰。用SiNx／SiO2和Al2O3图形掩膜制备的p-n结二极管的反向击穿电压分别为28和37V，进一步验证了扩散界面良好的电学特性。