【摘 要】
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针对不同的基板和粘结层，运用COMSOL Multiphysics软件分析了由封装引起的热失配对MEMS芯片的内部应力和应变的影响及其影响规律。分析不同基板对SiC芯片的应力和应变的影响，通
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针对不同的基板和粘结层，运用COMSOL Multiphysics软件分析了由封装引起的热失配对MEMS芯片的内部应力和应变的影响及其影响规律。分析不同基板对SiC芯片的应力和应变的影响，通过有限元计算分析得知，当基板的热膨胀系数跟芯片的热膨胀系数越接近，封装对芯片导致的应力、应变和位移的影响越小。研究表明：粘结层的厚度对SiC芯片的应力等参数同样存在一定的影响，当粘结层的厚度增加时能够降低SiC芯片由封装引起的热应力同时也会降低SiC芯片的第一主应变。基板厚度增加会增加SiC芯片由封装引起的热应力，温度
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