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硅酸铋(Bi12SiO20,简称BSO)晶体作为电光材料,其突出优点是响应快,灵敏度高,严重不足是光学增益低,光吸收大,为改善其性能,我们采取了掺杂的方法,生长了Al:BSO和Cr:BSO两种掺杂晶体,并对通过氧处理的样品进行了吸收光谱测定(谱图略),从谱图可知:(1)当380nm≤λ≤550nm时,不同掺杂浓度的Al:BSO晶体均无明显吸收,而纯BSO晶体在530nm处却有较小的吸收。此说明Al3+的吸收不在此段或Al3+的掺入并不降低BSO晶体的通过率。纯BSO晶体在530nm处吸收主要与BSO的晶格