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目的比较炭疽杆菌芽孢与短小杆菌芽孢对电离辐射的抗力。方法采用配对设计和载体定量灭活试验法进行了试验研究。结果经照射剂量率为2651.2 rad的钴60照射处理,钴60γ射线照射杀灭炭疽杆菌芽孢的D10值为1.62,短小杆菌芽孢的D10值为1.51。经高能加速电子束照射处理后,其杀灭炭疽杆菌芽孢的D10值为2.23,短小杆菌芽孢的D10值为1.83。结论炭疽杆菌芽孢对电离辐射的抗力略强于短小杆菌芽孢。