MOSFET中1/f噪声的Hooge参数α_H

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本文报道 P 沟道 MOSFET 器件中 1/f 噪声 Hooge 参数测量的部分实验结果.由加利福尼亚州的 SILICONIX 公司提供的实验样品是采用同样工艺作在同一块基片之上的.实验表明,在由非谐和状态到谐和状态过渡时,α_H 与沟道长度的平方成正比.类似的结果未曾见报道. This paper reports some experimental results of 1 / f noise Hooge parameter measurement in P-channel MOSFET devices. The experimental samples provided by SILICONIX of California are fabricated on the same substrate using the same process. Experiments show that, Α_H is proportional to the square of the channel length when the harmonic state transitions to a harmonic state, and similar results have not been reported.
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