论文部分内容阅读
在今年的日本京都2005年6月14日VLSI技术研讨会上,IMEC与其在CMOS工艺上的主要合作伙伴们一起宣布几项在栅堆叠(Gate-stack)和多栅极场效应管(MuGFETs)器件方面的技术突破。多栅极场效应管和栅堆叠技术的结合连同在掩膜版光刻技术的进步也创造了一个新纪录,使一个包含六个完全可工作的晶体管的SRAM单元的面积仅有0.247平方微米。