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<正>这项突破是向下一代光集成电路技术迈出了重要一步。Imec和Ghent大学首次在CMOS试点工艺线上在300mm硅衬底上进行InP激光器阵列的单片集成。这项发表在自然光子学杂志上的最新研究突破提供了大量制备性价比高的单片集成激光源的光集成电路的新途径。这种激光推动的光集成电路能够
Imec和Ghent大学演示了在300mm硅衬底上制备的InP激光器阵列
【摘 要】
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<正>这项突破是向下一代光集成电路技术迈出了重要一步。Imec和Ghent大学首次在CMOS试点工艺线上在300mm硅衬底上进行InP激光器阵列的单片集成。这项发表在自然光子学杂志上
【出 处】
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半导体信息
【发表日期】
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2015年6期
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