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本文利用LP-MOCVD系统在InP(001)衬底上先生长约2nm的GaAs张应变层,再依据S-K生长模式生长InAs量子点层。用量子力显微镜(AFM)对InAs量子点(岛化)进行了研究。研究发现当InAs层的厚度为2个单原子层(ML)时,刚刚有InAs自组装量子点在表面形成;当InAs层的厚度为ML时,有大量的InAs自组装量子眯在表面形成,且量子点的有规律地沿两个正交方向排列,沿某一方面排列较