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对用CVI法制备的SiCP／SiC复合材料的氧化性能进行了研究。材料含有的气孔和破坏氧化膜连续性的杂质元素，为氧气扩散提供通道；氧化过程中形成的气孔，导致了新的自由表面的暴露和空气扩散通道，进而加剧氧化。在材料的高温氧化过程中，SiC的氧化生成SiO2膜导致试样质量增加，玻璃碳界面层的氧化生成CO的逸出导致试样质量损失。最后的质量变化是这两种综合作用的结果。在高温氧化过程中，材料的空隙增多，应力集中加强，界面层被破坏使SiCP／SiC合材料的强度下降。