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对辐照偏置为阈值VT的pMOS剂量计进行了60Coγ射线和6MeV电子束的辐照标定,结果表明,在不低于102Gy(Si)的剂量范围内,这种变化的负栅偏电压下工作的pMOS剂量计呈现出线性响应,其适用于空间环境的响应灵敏度为20mV/Gy(Si)。同时发现,对60Coγ射线的响应灵敏度为对6MeV电子束的1.3倍左右。对实验结果进行了分析,认为pMOS剂量计的响应灵敏度与粒子辐射的种类具有一定的依赖性,提出了剂量计对混合辐射场的标定方法。