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采用直流磁控溅射法在普通玻璃上制备了氧化钒薄膜，并对薄膜采取了450℃真空退火处理，分别测量了退火前后薄膜XRD图谱及电阻，比较了不同溅射时间（120min、100min、60mm）对薄膜性能的影响。结果表明，溅射时间增长，薄膜的结晶度也增强，经过退火处理，薄膜的电阻明显减小，且溅射时间越长，薄膜的阻值越小，3块薄膜的电阻分别达到16．0MΩ、65．0MΩ、71．5MΩ，其随温度变化的幅度也越小。