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利用离子注入法，以７×１０＾１４／ｃｍ＾２和１×１０＾１５／ｃｍ＾２的剂量对ＩｎＰ进行稀土元素Ｅｒ的掺杂，采用了两种未加淀积膜覆盖的火方式，在１０Ｋ下均观测到ＩｎＰ中Ｅｒ＾３＋１．５４μｍ特征光致发光峰。光致发光（ＰＬ）和反射式高能电子衍射给出发光强度和晶格恢复程度与退火条件的依赖关系。结果表明Ｅｒ＾３＋在ＩｎＰ中的光激活性在很大程度上取决于ＩｎＰ晶格的恢复。