采用一步水热法制备镉掺杂的Cu₂O薄膜（Cd/Cu₂O）,分别探讨了制备过程中CuSO₄浓度、NaOH浓度、反应时间、反应温度和CdSO₄浓度对Cu₂O和Cd/Cu₂O薄膜光电性能的影响。结果表明,当反应釜中CuSO₄浓度为0.114 2 mol/L、NaOH浓度为0.028 6 mol/L、反应时间为8 h、反应温度为90℃、CdSO₄浓度分别为0 mol/L和0.571 4μmol/L时,可在基底Cu片上分别获得光电压为0.366 7 V的Cu₂O样品和光电压为0.460 2 V的Cd/Cu₂O薄膜样品。紫外可见吸收光谱（UV-Vis）、X射线衍射（XRD）图谱、扫描电子显微镜（SEM）和能谱仪（EDS）表征结果显示,Cu₂O的禁带宽度为2.1 eV,而Cd/Cu₂O的禁带宽度最小达到1.8 eV;Cd/Cu₂O的择优生长面为（111）面,其衍射峰强度比Cu₂O明显增强; Cd/Cu₂O样品表面与Cu₂O对比变得光滑,粒径由Cu₂O的1.0～3.0μm减小到Cd/Cu₂O的0.3～0.9μm。